PBSS5130PAP,115 NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5130PAP,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 1 A
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 2W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 125MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Verlustleistung, NPN: -mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -A
Description: NEXPERIA - PBSS5130PAP,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 1 A
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 2W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 125MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Verlustleistung, NPN: -mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -A
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
22+ | 34.45 грн |
27+ | 28.68 грн |
100+ | 18.12 грн |
500+ | 13.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS5130PAP,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5130PAP,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 1 A, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 2W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A, Übergangsfrequenz, PNP: 125MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-1118, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Verlustleistung, NPN: -mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -A.
Інші пропозиції PBSS5130PAP,115 за ціною від 9.95 грн до 38.4 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PBSS5130PAP,115 | Виробник : Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS5130PAP/SOT1118/HUSON6 |
на замовлення 2443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS5130PAP,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2PNP 30V 1A 6HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PBSS5130PAP,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2PNP 30V 1A 6HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
товар відсутній |