Продукція > NEXPERIA > PBSS5130PAP,115
PBSS5130PAP,115

PBSS5130PAP,115 NEXPERIA


NEXP-S-A0003560279-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5130PAP,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 1 A
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 2W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 125MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Verlustleistung, NPN: -mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -A
на замовлення 2779 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+34.45 грн
27+ 28.68 грн
100+ 18.12 грн
500+ 13.14 грн
Мінімальне замовлення: 22
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBSS5130PAP,115 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PBSS5130PAP,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 1 A, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 2W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A, Übergangsfrequenz, PNP: 125MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-1118, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Verlustleistung, NPN: -mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -A.

Інші пропозиції PBSS5130PAP,115 за ціною від 9.95 грн до 38.4 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PBSS5130PAP,115 PBSS5130PAP,115 Виробник : Nexperia PBSS5130PAP-2938141.pdf Bipolar Transistors - BJT PBSS5130PAP/SOT1118/HUSON6
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+38.4 грн
10+ 33.32 грн
100+ 20.3 грн
500+ 15.76 грн
1000+ 12.88 грн
3000+ 10.68 грн
9000+ 9.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
PBSS5130PAP,115 PBSS5130PAP,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PBSS5130PAP.pdf Description: TRANS 2PNP 30V 1A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 510mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PBSS5130PAP,115 PBSS5130PAP,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PBSS5130PAP.pdf Description: TRANS 2PNP 30V 1A 6HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 510mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній