на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12000+ | 4.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS5130T,215 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5130T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 450hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції PBSS5130T,215 за ціною від 3.73 грн до 34.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PBSS5130T,215 | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS5130T,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS5130T,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS5130T,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 30V 1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 260 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 480 mW Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS5130T,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS5130T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 210...450 Collector current: 1A Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS5130T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 210...450 Collector current: 1A Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS5130T,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 30V 1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 260 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 480 mW Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 8292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS5130T,215 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBSS5130T/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 7510 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS5130T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5130T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 450hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|