PBSS5160V,115 NEXPERIA
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 60+ | 5.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS5160V,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5160V,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 900 mA, 300 mW, SOT-666, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 900mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 220MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції PBSS5160V,115 за ціною від 6.78 грн до 38.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PBSS5160V,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: TRANS PNP 60V 0.9A SOT666Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: SOT-666 Current - Collector (Ic) (Max): 900 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 1997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PBSS5160V,115 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT NRND for Automotive Applications PBSS5160V/SOT666/SOT6 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PBSS5160V,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5160V,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 900 mA, 300 mW, SOT-666, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 900mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
|||||||||||||
| PBSS5160V,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; SOT666 Case: SOT666 Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 100...350 Collector current: 1A Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Frequency: 220MHz кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
|
|
PBSS5160V,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 60V 0.9A SOT666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: SOT-666 Current - Collector (Ic) (Max): 900 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW |
товар відсутній |
|||||||||||||
| PBSS5160V,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; SOT666 Case: SOT666 Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 100...350 Collector current: 1A Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Frequency: 220MHz |
товар відсутній |