PBSS5230T,215 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 30V 2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 480 mW
Qualification: AEC-Q100
Description: TRANS PNP 30V 2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 480 mW
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS5230T,215 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PBSS5230T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції PBSS5230T,215 за ціною від 3.52 грн до 31.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PBSS5230T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5230T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 24905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS5230T,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 30V 2A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 480 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS5230T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5230T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 24895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS5230T,215 | Виробник : Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS5230T/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 7071 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS5230T,215 | Виробник : NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 30V 2A 480mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
PBSS5230T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 2A; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 100...450 Collector current: 2A Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
PBSS5230T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 2A; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 100...450 Collector current: 2A Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar |
товар відсутній |