PBSS5250X,115 NEXPERIA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 5.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS5250X,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5250X,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 550 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 550mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PBSS5250X,115 за ціною від 4.82 грн до 28.69 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PBSS5250X,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT PNP 50V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PBSS5250X,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT PNP 50V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PBSS5250X,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 50V 2A SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PBSS5250X,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT PNP 50V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PBSS5250X,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT PNP 50V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PBSS5250X,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT PNP 50V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 8935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PBSS5250X,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT PNP 50V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 8935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PBSS5250X,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 50V 2A SOT89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 3692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PBSS5250X,115 | Виробник : Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS5250X/SOT89/MPT3 |
на замовлення 4112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PBSS5250X,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5250X,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 550 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 550mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PBSS5250X,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT PNP 50V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
PBSS5250X,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; SC62,SOT89 Mounting: SMD Case: SC62; SOT89 Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 100...200 Collector current: 2A Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
PBSS5250X,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; SC62,SOT89 Mounting: SMD Case: SC62; SOT89 Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 100...200 Collector current: 2A Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar |
товар відсутній |