Продукція > NEXPERIA > PBSS5320T-QR

PBSS5320T-QR NEXPERIA


pbss5320t.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans GP BJT PNP 20V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBSS5320T-QR NEXPERIA

Description: PBSS5320T-Q/SOT23/TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 300 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PBSS5320T-QR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PBSS5320T-QR PBSS5320T-QR Виробник : Nexperia USA Inc. PBSS5320T-Q.pdf Description: PBSS5320T-Q/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
PBSS5320T-QR PBSS5320T-QR Виробник : Nexperia PBSS5320T_Q-2943355.pdf Bipolar Transistors - BJT PBSS5320T-Q/SOT23/TO-236AB
товар відсутній