Продукція > NEXPERIA > PBSS5350T-QR
PBSS5350T-QR

PBSS5350T-QR Nexperia


PBSS5350T_Q-2950451.pdf Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PBSS5350T-Q/SOT23/TO-236AB
на замовлення 6744 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.96 грн
15+ 20.7 грн
100+ 12.22 грн
1000+ 7.57 грн
3000+ 6.44 грн
9000+ 6.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBSS5350T-QR Nexperia

Description: PBSS5350T-Q/SOT23/TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1.2 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PBSS5350T-QR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PBSS5350T-QR PBSS5350T-QR Виробник : Nexperia USA Inc. PBSS5350T-Q.pdf Description: PBSS5350T-Q/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.2 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній