PBSS5480XZ Nexperia
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 10.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS5480XZ Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS5480XZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 550 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 550mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 125MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції PBSS5480XZ за ціною від 11.96 грн до 19.7 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PBSS5480XZ | Виробник : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PBSS5480XZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 550 mW, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 550mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PBSS5480XZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5480XZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 550 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 550mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PBSS5480XZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 2500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
 |
PBSS5480XZ | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 2500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
PBSS5480XZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 2500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
PBSS5480XZ | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 2.5W; SC62,SOT89 Mounting: SMD Case: SC62; SOT89 Frequency: 125MHz Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 80...300 Collector current: 4A Pulsed collector current: 10A Type of transistor: PNP Power dissipation: 2.5W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
PBSS5480XZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 80V 4A SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
PBSS5480XZ | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBSS5480X/SOT89/MPT3 |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
PBSS5480XZ | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 2.5W; SC62,SOT89 Mounting: SMD Case: SC62; SOT89 Frequency: 125MHz Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 80...300 Collector current: 4A Pulsed collector current: 10A Type of transistor: PNP Power dissipation: 2.5W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |