PBSS5612PA,115 NXP Semiconductors
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA PBSS5612PA - SMALL SIGN
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 190 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 2.1 W
Description: NEXPERIA PBSS5612PA - SMALL SIGN
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 190 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 99332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2777+ | 7.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS5612PA,115 NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA PBSS5612PA - SMALL SIGN, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 190 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 60MHz, Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2), Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Power - Max: 2.1 W.
Інші пропозиції PBSS5612PA,115
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
PBSS5612PA,115 | Виробник : Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 12V 6A PNP LO VCEsat TRANSISTOR |
на замовлення 2729 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |