PBSS8110Z,135 NEXPERIA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 6.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS8110Z,135 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS8110Z,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції PBSS8110Z,135 за ціною від 6 грн до 33.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PBSS8110Z,135 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: TRANS NPN 100V 1A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.4 W Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS8110Z,135 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 100V 1A 1400mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 2855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS8110Z,135 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 100V 1A 1400mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS8110Z,135 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 100V 1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.4 W Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 7857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS8110Z,135 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 100V 1A 1400mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 2855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS8110Z,135 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBSS8110Z/SOT223/SC-73 |
на замовлення 15373 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS8110Z,135 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS8110Z,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
PBSS8110Z,135 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS8110Z,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
PBSS8110Z,135 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 100V 1A 1400mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
PBSS8110Z,135 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; SC73,SOT223 Case: SC73; SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Frequency: 100MHz Collector-emitter voltage: 100V Current gain: 80...500 Collector current: 1A кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PBSS8110Z,135 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; SC73,SOT223 Case: SC73; SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Frequency: 100MHz Collector-emitter voltage: 100V Current gain: 80...500 Collector current: 1A |
товар відсутній |