PD57018-E STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10
Packaging: Tube
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Current Rating (Amps): 2.5A
Frequency: 945MHz
Power - Output: 18W
Gain: 16.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: 10-PowerSO
Part Status: Active
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 100 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10
Packaging: Tube
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Current Rating (Amps): 2.5A
Frequency: 945MHz
Power - Output: 18W
Gain: 16.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: 10-PowerSO
Part Status: Active
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2073.37 грн |
10+ | 1841.36 грн |
50+ | 1758.6 грн |
100+ | 1475.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PD57018-E STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF, Kind of package: tube, Drain-source voltage: 65V, Drain current: 2.5A, Type of transistor: N-MOSFET, Open-loop gain: 16.5dB, Output power: 18W, Power dissipation: 31.7W, Polarisation: unipolar, Electrical mounting: SMT, Kind of transistor: RF, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Case: PowerSO10RF, Frequency: 945MHz, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції PD57018-E за ціною від 1379.96 грн до 2358.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PD57018-E | Виробник : STMicroelectronics | Trans RF MOSFET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PD57018-E | Виробник : STMicroelectronics | RF MOSFET Transistors POWER RF Transistor |
на замовлення 304 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PD57018-E | Виробник : STMicroelectronics | Trans RF MOSFET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PD57018-E Код товару: 176005 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
PD57018-E | Виробник : STMicroelectronics | Trans RF FET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
PD57018-E | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF Kind of package: tube Drain-source voltage: 65V Drain current: 2.5A Type of transistor: N-MOSFET Open-loop gain: 16.5dB Output power: 18W Power dissipation: 31.7W Polarisation: unipolar Electrical mounting: SMT Kind of transistor: RF Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PowerSO10RF Frequency: 945MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
PD57018-E | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF Kind of package: tube Drain-source voltage: 65V Drain current: 2.5A Type of transistor: N-MOSFET Open-loop gain: 16.5dB Output power: 18W Power dissipation: 31.7W Polarisation: unipolar Electrical mounting: SMT Kind of transistor: RF Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PowerSO10RF Frequency: 945MHz |
товар відсутній |