PD57018-E

PD57018-E STMicroelectronics


en.CD00098308.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10
Packaging: Tube
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Current Rating (Amps): 2.5A
Frequency: 945MHz
Power - Output: 18W
Gain: 16.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: 10-PowerSO
Part Status: Active
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 226 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2073.37 грн
10+ 1841.36 грн
50+ 1758.6 грн
100+ 1475.63 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PD57018-E STMicroelectronics

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF, Kind of package: tube, Drain-source voltage: 65V, Drain current: 2.5A, Type of transistor: N-MOSFET, Open-loop gain: 16.5dB, Output power: 18W, Power dissipation: 31.7W, Polarisation: unipolar, Electrical mounting: SMT, Kind of transistor: RF, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Case: PowerSO10RF, Frequency: 945MHz, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції PD57018-E за ціною від 1379.96 грн до 2358.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PD57018-E PD57018-E Виробник : STMicroelectronics 1486cd00098308.pdf Trans RF MOSFET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2190.46 грн
10+ 1982.57 грн
25+ 1910.14 грн
PD57018-E PD57018-E Виробник : STMicroelectronics pd57018_e-1849911.pdf RF MOSFET Transistors POWER RF Transistor
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2205.01 грн
10+ 1982.34 грн
25+ 1685.05 грн
50+ 1586.92 грн
100+ 1480.1 грн
250+ 1380.62 грн
400+ 1379.96 грн
PD57018-E PD57018-E Виробник : STMicroelectronics 1486cd00098308.pdf Trans RF MOSFET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+2358.96 грн
10+ 2135.08 грн
25+ 2057.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
PD57018-E
Код товару: 176005
en.CD00098308.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
PD57018-E PD57018-E Виробник : STMicroelectronics 1486cd00098308.pdf Trans RF FET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
товар відсутній
PD57018-E Виробник : STMicroelectronics pd57018-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 2.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 16.5dB
Output power: 18W
Power dissipation: 31.7W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerSO10RF
Frequency: 945MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PD57018-E Виробник : STMicroelectronics pd57018-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 2.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 16.5dB
Output power: 18W
Power dissipation: 31.7W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerSO10RF
Frequency: 945MHz
товар відсутній