PDTA113ET,215 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTA113ET,215 Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100.
Інші пропозиції PDTA113ET,215 за ціною від 1.13 грн до 11.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PDTA113ET,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PDTA113ET,215 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - Pre-Biased PDTA113ET/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 2631 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PDTA113ET,215 | Виробник : NXP |
Description: NXP - PDTA113ET,215 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 483400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| PDTA113ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA113ET,215 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 483400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
PDTA113ET,215 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
PDTA113ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
PDTA113ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ кількість в упаковці: 25 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PDTA113ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ |
товар відсутній |