PDTA114EU,115 NEXPERIA
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 0.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTA114EU,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA114EU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTA114E Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PDTA114EU,115 за ціною від 0.82 грн до 13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PDTA114EU,115 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTA114EU,115 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTA114EU,115 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTA114EU,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTA114EU,115 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTA114EU,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA114EU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA114E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTA114EU,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTA114EU,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTA114EU,115 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 34146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTA114EU,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA114EU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA114E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTA114EU,115 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 34146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTA114EU,115 | Виробник : Nexperia | Digital Transistors PDTA114EU/SOT323/SC-70 |
на замовлення 46564 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTA114EU,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 35136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTA114EU,115 | Виробник : NXP |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R PDTA114EU,115 PDTA114EU,135 PDTA114EU TPDTA114eu кількість в упаковці: 200 шт |
на замовлення 420 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTA114EU,115 | Виробник : NXP | Транз. Бипол. (со встроенными резисторами) ММ PNP SOT323 (SC-70) Uceo=50V; Ic=0,1A; Pdmax=0,5W; hfemin=30 |
на замовлення 14955 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|