PDTA114TT,215 Nexperia
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9934+ | 1.17 грн |
| 10068+ | 1.16 грн |
| 12712+ | 0.92 грн |
| 24000+ | 0.82 грн |
| 30000+ | 0.75 грн |
| 45000+ | 0.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTA114TT,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - PDTA114TT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Produktpalette: PDTA114T Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PDTA114TT,215 за ціною від 0.68 грн до 10.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PDTA114TT,215 | Виробник : Nexperia |
 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PDTA114TT,215 | Виробник : NEXPERIA |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PDTA114TT,215 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PDTA114TT,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB; 10kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ |
на замовлення 4175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PDTA114TT,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB; 10kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 4175 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PDTA114TT,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA114TT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Produktpalette: PDTA114T Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PDTA114TT,215 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PDTA114TT,215 | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors PDTA114TT/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 8625 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PDTA114TT,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
PDTA114TT,215 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
PDTA114TT,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Qualification: AEC-Q100 |
товар відсутній |