PDTA115EMB,315 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.02A 3DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 88776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11225+ | 2.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTA115EMB,315 Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.02A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 180 MHz, Resistor - Base (R1): 100 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms, Qualification: AEC-Q100.
Інші пропозиції PDTA115EMB,315 за ціною від 5.43 грн до 22.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PDTA115EMB,315 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - Pre-Biased PDTA115EMB/SOT883B/XQFN3 |
на замовлення 8779 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PDTA115EMB,315 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.02A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Qualification: AEC-Q100 |
товар відсутній |