PDTA123JM,315 NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA123JM,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Produktpalette: PDTA123J Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: NEXPERIA - PDTA123JM,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Produktpalette: PDTA123J Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 4.4 грн |
1000+ | 2.67 грн |
2500+ | 2.6 грн |
5000+ | 2.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTA123JM,315 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA123JM,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: DFN1006, Produktpalette: PDTA123J Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції PDTA123JM,315 за ціною від 2.16 грн до 16.52 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PDTA123JM,315 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA123JM,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: DFN1006 Produktpalette: PDTA123J Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 6840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTA123JM,315 | Виробник : NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
PDTA123JM,315 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
PDTA123JM,315 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q100 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
PDTA123JM,315 | Виробник : Nexperia | Digital Transistors PDTA123JM/SOT883/XQFN3 |
товар відсутній |