PDTA123JTVL

PDTA123JTVL Nexperia USA Inc.


PDTA123J_SER.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 5006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+11.5 грн
36+ 7.75 грн
100+ 4.19 грн
500+ 3.09 грн
1000+ 2.14 грн
2000+ 1.78 грн
5000+ 1.65 грн
Мінімальне замовлення: 25
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTA123JTVL Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Qualification: AEC-Q100.

Інші пропозиції PDTA123JTVL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PDTA123JTVL PDTA123JTVL Виробник : NEXPERIA 734468141946260pdta123j_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
PDTA123JTVL PDTA123JTVL Виробник : Nexperia 734468141946260pdta123j_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
PDTA123JTVL PDTA123JTVL Виробник : Nexperia USA Inc. PDTA123J_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
PDTA123JTVL PDTA123JTVL Виробник : Nexperia PDTA123J_SER-2938252.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased PDTA123JT/SOT23/TO-236AB
товар відсутній