Продукція > NEXPERIA > PDTB113ZT,215
PDTB113ZT,215

PDTB113ZT,215 NEXPERIA

PDTB113ZT.pdf Виробник: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 70
Collector current: 0.5A
Type of transistor: PNP
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
120+3.01 грн
380+ 2.19 грн
1020+ 2.07 грн
Мінімальне замовлення: 120
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTB113ZT,215 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PDTB113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Dauer-Kollektorstrom Ic: -500, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1, Dauer-Kollektorstrom: 500, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250, Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP, Bauform - Transistor: SOT-23, Bauform - HF-Transistor: SOT-23, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTB113Z Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Widerstandsverhältnis R1/R2: -, Betriebstemperatur, max.: 150, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції PDTB113ZT,215 за ціною від 1.99 грн до 22.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PDTB113ZT,215 PDTB113ZT,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTB113ZT.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PDTB113ZT,215 PDTB113ZT,215 Виробник : NEXPERIA PDTB113ZT.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 70
Collector current: 0.5A
Type of transistor: PNP
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
80+4.32 грн
100+ 3.75 грн
380+ 2.62 грн
1020+ 2.48 грн
Мінімальне замовлення: 80
PDTB113ZT,215 PDTB113ZT,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTB113ZT.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 6509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+20.84 грн
21+ 13.7 грн
100+ 6.67 грн
500+ 5.22 грн
1000+ 3.63 грн
Мінімальне замовлення: 14
PDTB113ZT,215 PDTB113ZT,215 Виробник : Nexperia PDTB113ZT-2938117.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased PDTB113ZT/SOT23/TO-236AB
на замовлення 32541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+22.32 грн
18+ 17.8 грн
100+ 8.17 грн
500+ 5.45 грн
1000+ 3.72 грн
3000+ 2.39 грн
9000+ 1.99 грн
Мінімальне замовлення: 14
PDTB113ZT,215 PDTB113ZT,215 Виробник : NEXPERIA 3154503.pdf Description: NEXPERIA - PDTB113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Dauer-Kollektorstrom Ic: -500
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1
Dauer-Kollektorstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - Transistor: SOT-23
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTB113Z Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)