PDTB114ETR NEXPERIA
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTB114ETR NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTB114ETR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 320mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTB1xxxT Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.
Інші пропозиції PDTB114ETR за ціною від 2.11 грн до 24.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PDTB114ETR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 320 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PDTB114ETR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTB114ETR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 320mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTB1xxxT Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 175°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V |
на замовлення 1280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PDTB114ETR | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; SOT23,TO236AB; R1: 10kΩ Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Type of transistor: PNP |
на замовлення 2830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PDTB114ETR | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; SOT23,TO236AB; R1: 10kΩ Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Type of transistor: PNP кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2830 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PDTB114ETR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 320 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PDTB114ETR | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors PDTB114ET/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 8785 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PDTB114ETR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTB114ETR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 320mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTB1xxxT Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 175°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V |
на замовлення 1280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|