Продукція > NEXPERIA > PDTB123ET,215
PDTB123ET,215

PDTB123ET,215 NEXPERIA

14081917185261pdtb123et.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_part.pdfcidbrand_nxpd.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTB123ET,215 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PDTB123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412900, Dauer-Kollektorstrom Ic: -500, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2, Dauer-Kollektorstrom: 500, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250, Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP, Bauform - Transistor: SOT-23, Bauform - HF-Transistor: SOT-23, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTB123E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Widerstandsverhältnis R1/R2: -, Betriebstemperatur, max.: 150, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції PDTB123ET,215 за ціною від 1.79 грн до 22.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PDTB123ET,215 PDTB123ET,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTB123ET.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+20.12 грн
21+ 13.56 грн
Мінімальне замовлення: 15
PDTB123ET,215 PDTB123ET,215 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002881336-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTB123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Dauer-Kollektorstrom Ic: -500
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
Dauer-Kollektorstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - Transistor: SOT-23
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTB123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
37+20.34 грн
46+ 16.54 грн
100+ 8.57 грн
Мінімальне замовлення: 37
PDTB123ET,215 PDTB123ET,215 Виробник : Nexperia PDTB123ET-2938118.pdf Digital Transistors PDTB123ET/SOT23/TO-236AB
на замовлення 7857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+22.32 грн
21+ 15.2 грн
100+ 6.51 грн
1000+ 3.99 грн
3000+ 2.52 грн
9000+ 1.99 грн
24000+ 1.79 грн
Мінімальне замовлення: 14
PDTB123ET,215
Код товару: 173860 		PDTB123ET.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
PDTB123ET,215 PDTB123ET,215 Виробник : NEXPERIA PDTB123ET.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
кількість в упаковці: 20 шт
товар відсутній
PDTB123ET,215 PDTB123ET,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTB123ET.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
товар відсутній
PDTB123ET,215 PDTB123ET,215 Виробник : NEXPERIA PDTB123ET.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
товар відсутній