на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 0.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTC114ET,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - PDTC114ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Produktpalette: PDTC114E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PDTC114ET,215 за ціною від 0.73 грн до 12.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PDTC114ET,215 | Виробник : NEXPERIA | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1578000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC114ET,215 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1578000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC114ET,215 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 153000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC114ET,215 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 372000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC114ET,215 | Виробник : NEXPERIA | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC114ET,215 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1578000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC114ET,215 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 372000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC114ET,215 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 372000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC114ET,215 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC114ET,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC114ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC114ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 33762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC114ET,215 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC114ET,215 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1666801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC114ET,215 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 48936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC114ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ |
на замовлення 4818 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC114ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 4818 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC114ET,215 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 48936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC114ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC114ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 33762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC114ET,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 24335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC114ET,215 | Виробник : Nexperia | Digital Transistors PDTC114ET/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 25650 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC114ET,215 | Виробник : NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
PDTC114ET,215 | Виробник : NXP |
NPN 50V 100mA 250mW +res. 10k+10k PDTC114ET smd TPDTC114et кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 990 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC114ET,215 | Виробник : NXP |
NPN 50V 100mA 250mW +res. 10k+10k PDTC114ET smd TPDTC114et кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC114ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC114ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Produktpalette: PDTC114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товар відсутній |