PDTC123JU,115 NEXPERIA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 0.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTC123JU,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTC123JU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200, Bauform - Transistor: SOT-323, Produktpalette: PDTC123J Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції PDTC123JU,115 за ціною від 0.81 грн до 13.04 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PDTC123JU,115 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC123JU,115 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC123JU,115 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 126000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC123JU,115 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC123JU,115 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC123JU,115 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC123JU,115 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC123JU,115 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC123JU,115 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC123JU,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC123JU,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC123JU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100 usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50 euEccn: NLR Verlustleistung: 200 Bauform - Transistor: SOT-323 Produktpalette: PDTC123J Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC123JU,115 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 32969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC123JU,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 230MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ |
на замовлення 3255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC123JU,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 230MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3255 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC123JU,115 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 32969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC123JU,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 124976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC123JU,115 | Виробник : Nexperia | Bipolar Transistors - Pre-Biased PDTC123JU/SOT323/SC-70 |
на замовлення 37385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC123JU,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC123JU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - HF-Transistor: SOT-323 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC123J Widerstandsverhältnis R1/R2: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PDTC123JU,115 | Виробник : NXP |
NPN 100mA 50V 200mW PDTC123JU,115 NXP TPDTC123ju кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|