на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
40000+ | 0.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTC143ET,235 Nexperia
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms.
Інші пропозиції PDTC143ET,235 за ціною від 0.8 грн до 12.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PDTC143ET,235 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTC143ET,235 | Виробник : NXP Semiconductors |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms |
на замовлення 380000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTC143ET,235 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms |
на замовлення 9816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTC143ET,235 | Виробник : Nexperia | Digital Transistors PDTC143ET/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 9930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTC143ET,235 | Виробник : NEXPERIA | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PDTC143ET,235 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC143ET,235 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 380000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTC143ET,235 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
PDTC143ET,235 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
PDTC143ET,235 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
PDTC143ET,235 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ |
товар відсутній |