Продукція > NEXPERIA > PDTD113ET,215
PDTD113ET,215

PDTD113ET,215 Nexperia

182697367128750pdtd113e_ser.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_p.pdfcidbrand_nxpd.pdf Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5435+2.15 грн
6000+ 1.97 грн
12000+ 1.83 грн
18000+ 1.67 грн
Мінімальне замовлення: 5435
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTD113ET,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTD113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTD113E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V.

Інші пропозиції PDTD113ET,215 за ціною від 1.66 грн до 21.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PDTD113ET,215 PDTD113ET,215 Виробник : NEXPERIA PDTD113E_SER.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
120+3.02 грн
380+ 2.19 грн
1020+ 2.07 грн
Мінімальне замовлення: 120
PDTD113ET,215 PDTD113ET,215 Виробник : NEXPERIA PHGLS20463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTD113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTD113E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 2736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.4 грн
1000+ 1.66 грн
Мінімальне замовлення: 500
PDTD113ET,215 PDTD113ET,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTD113E_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PDTD113ET,215 PDTD113ET,215 Виробник : NEXPERIA PDTD113E_SER.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
80+4.33 грн
100+ 3.76 грн
380+ 2.63 грн
1020+ 2.49 грн
Мінімальне замовлення: 80
PDTD113ET,215 PDTD113ET,215 Виробник : NEXPERIA PHGLS20463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTD113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTD113E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 2736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
43+17.78 грн
63+ 12.03 грн
141+ 5.3 грн
500+ 3.4 грн
1000+ 1.66 грн
Мінімальне замовлення: 43
PDTD113ET,215 PDTD113ET,215 Виробник : Nexperia PDTD113E_SER-2938524.pdf Digital Transistors PDTD113ET/SOT23/TO-236AB
на замовлення 7106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+20.98 грн
23+ 13.78 грн
100+ 4.93 грн
1000+ 3.46 грн
3000+ 2.2 грн
9000+ 1.73 грн
24000+ 1.66 грн
Мінімальне замовлення: 15
PDTD113ET,215 PDTD113ET,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTD113E_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
на замовлення 3002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.61 грн
20+ 14.36 грн
100+ 7 грн
500+ 5.48 грн
1000+ 3.81 грн
Мінімальне замовлення: 14
PDTD113ET,215 PDTD113ET,215 Виробник : NEXPERIA 182697367128750pdtd113e_ser.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_p.pdfcidbrand_nxpd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PDTD113ET,215 Виробник : NEXPERIA PDTD113E_SER.pdf Description: NEXPERIA - PDTD113ET,215 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 12000
PDTD113ET,215 PDTD113ET,215 Виробник : Nexperia 182697367128750pdtd113e_ser.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_p.pdfcidbrand_nxpd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній