Технічний опис PDTD123YT-QR Nexperia
Description: NEXPERIA - PDTD123YT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm, 4.55 Verhältnis, Dauer-Kollektorstrom Ic: 500, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70, hazardous: true, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2, Dauer-Kollektorstrom: 500, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250, Polarität des Digitaltransistors: NPN, Bauform - Transistor: SOT-23, Bauform - HF-Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Widerstandsverhältnis R1/R2: 4.55, Betriebstemperatur, max.: 150, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції PDTD123YT-QR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
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| PDTD123YT-QR | Виробник : NEXPERIA |
 Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 |
товар відсутній |
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PDTD123YT-QR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTD123YT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm, 4.55 Verhältnis Dauer-Kollektorstrom Ic: 500 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70 hazardous: true Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 Dauer-Kollektorstrom: 500 usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50 Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 euEccn: NLR Verlustleistung: 250 Polarität des Digitaltransistors: NPN Bauform - Transistor: SOT-23 Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Wandlerpolarität: Einfach NPN Widerstandsverhältnis R1/R2: 4.55 Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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PDTD123YT-QR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTD123YT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm, 4.55 Verhältnis tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500 usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50 euEccn: NLR Verlustleistung: 250 Bauform - Transistor: SOT-23 Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
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PDTD123YT-QR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 |
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PDTD123YT-QR | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors PDTD123YT-Q/SOT23/TO-236AB |
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