PEMB9,315 Nexperia
Виробник: NexperiaBipolar Transistors - Pre-Biased NRND for Automotive Applications PEMB9/SOT666/SOT6
на замовлення 6251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 35.83 грн |
| 12+ | 26.74 грн |
| 100+ | 13.34 грн |
| 1000+ | 7.73 грн |
| 2500+ | 6.34 грн |
| 8000+ | 5.35 грн |
| 24000+ | 5.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PEMB9,315 Nexperia
Description: NEXPERIA - PEMB9,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-666, Produktpalette: PEMB9 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції PEMB9,315 за ціною від 6.96 грн до 6.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PEMB9,315 | Виробник : NXP |
Description: NXP - PEMB9,315 - SMALL SIGNAL DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 594000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
PEMB9,315 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PEMB9,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-666 Produktpalette: PEMB9 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
товар відсутній |
|||||
 |
PEMB9,315 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; SOT666; R1: 10kΩ Mounting: SMD Case: SOT666 Kind of package: reel; tape Current gain: 100 Collector-emitter voltage: 50V Power dissipation: 0.3W Polarisation: bipolar Frequency: 180MHz Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Collector current: 0.1A Base-emitter resistor: 47kΩ Type of transistor: PNP x2 кількість в упаковці: 8000 шт |
товар відсутній |
|||||
 |
PEMB9,315 | Виробник : NXP Semiconductors |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 |
товар відсутній |
|||||
|
|
PEMB9,315 | Виробник : NXP Semiconductors |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 |
товар відсутній |
|||||
|
|
PEMB9,315 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; SOT666; R1: 10kΩ Mounting: SMD Case: SOT666 Kind of package: reel; tape Current gain: 100 Collector-emitter voltage: 50V Power dissipation: 0.3W Polarisation: bipolar Frequency: 180MHz Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Collector current: 0.1A Base-emitter resistor: 47kΩ Type of transistor: PNP x2 |
товар відсутній |