Продукція > NEXPERIA USA INC. > PEMD10,115
PEMD10,115

PEMD10,115 Nexperia USA Inc.

PEMD10.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
на замовлення 3885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.33 грн
14+ 21 грн
100+ 10.59 грн
500+ 8.81 грн
1000+ 6.85 грн
2000+ 6.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PEMD10,115 Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SOT-666.

Інші пропозиції PEMD10,115

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PEMD10,115 PEMD10,115 Виробник : NEXPERIA pemd10_pumd10.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
товар відсутній
PEMD10,115 PEMD10,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PEMD10.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
товар відсутній
PEMD10,115 PEMD10,115 Виробник : Nexperia PEMD10-3162545.pdf Digital Transistors NRND for Automotive Applications PEMD10/SOT666/SOT6
товар відсутній