PHE13009/DG,127 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: NOW WEEN - PHE13009 - POWER BIPO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 3680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 912+ | 22.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PHE13009/DG,127 NXP USA Inc.
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHE13009/DG,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 12 A, 80 W, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 12A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції PHE13009/DG,127 за ціною від 19.16 грн до 68.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PHE13009/DG,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
Bipolar Transistors - BJT NPN POWER TRANSISTOR |
на замовлення 176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PHE13009/DG,127 | Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHE13009/DG,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 12 A, 80 W, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 12A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PHE13009/DG,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm Kind of package: tube Type of transistor: NPN Collector current: 12A Current gain: 8...40 Collector-emitter voltage: 400V Case: TO220AB Mounting: THT Heatsink thickness: max. 1.3mm Polarisation: bipolar Power dissipation: 80W кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
PHE13009/DG,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
Description: TRANS NPN 400V 12A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V Supplier Device Package: TO-220AB Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PHE13009/DG,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm Kind of package: tube Type of transistor: NPN Collector current: 12A Current gain: 8...40 Collector-emitter voltage: 400V Case: TO220AB Mounting: THT Heatsink thickness: max. 1.3mm Polarisation: bipolar Power dissipation: 80W |
товар відсутній |