Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJA3415AE_R1_00001
PJA3415AE_R1_00001

PJA3415AE_R1_00001 Panjit International Inc.

PJA3415AE.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.13 грн
6000+ 6.71 грн
9000+ 5.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJA3415AE_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PJA3415AE_R1_00001 за ціною від 5.65 грн до 35.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PJA3415AE_R1_00001 PJA3415AE_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJA3415AE.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V
на замовлення 32345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.33 грн
13+ 22.07 грн
100+ 11.12 грн
500+ 9.24 грн
1000+ 7.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
PJA3415AE_R1_00001 PJA3415AE_R1_00001 Виробник : Panjit PJA3415AE-1867273.pdf MOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 59835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.34 грн
13+ 24.52 грн
100+ 9.57 грн
1000+ 7.44 грн
3000+ 6.51 грн
9000+ 5.71 грн
24000+ 5.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
PJA3415AE-R1-00001 PJA3415AE-R1-00001 Виробник : Panjit PJA3415AE-1867273.pdf MOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-20TMP
товар відсутній