Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJA3419_R1_00001
PJA3419_R1_00001

PJA3419_R1_00001 Panjit International Inc.

PJA3419.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 10 V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.43 грн
17+ 16.61 грн
100+ 8.39 грн
500+ 6.42 грн
1000+ 4.76 грн
Мінімальне замовлення: 12
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJA3419_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PJA3419_R1_00001 за ціною від 3.72 грн до 28.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PJA3419_R1_00001 PJA3419_R1_00001 Виробник : Panjit PJA3419-1867218.pdf MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.44 грн
15+ 21.62 грн
100+ 10.69 грн
500+ 7.04 грн
1000+ 5.45 грн
3000+ 4.18 грн
9000+ 3.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
PJA3419_R1_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJA3419.pdf PJA3419-R1 SMD P channel transistors
товар відсутній
PJA3419_R1_00001 PJA3419_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJA3419.pdf Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 10 V
товар відсутній