Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJW4N06A_R2_00001
PJW4N06A_R2_00001

PJW4N06A_R2_00001 Panjit International Inc.

PJW4N06A.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJW4N06A_R2_00001 Panjit International Inc.

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PJW4N06A_R2_00001 за ціною від 6.34 грн до 32.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PJW4N06A_R2_00001 PJW4N06A_R2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJW4N06A.pdf Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
на замовлення 5823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.01 грн
13+ 22.71 грн
100+ 13.6 грн
500+ 11.82 грн
1000+ 8.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJW4N06A_R2_00001 PJW4N06A_R2_00001 Виробник : Panjit PJW4N06A-1876862.pdf MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.29 грн
12+ 25.9 грн
100+ 15.39 грн
1000+ 8.98 грн
2500+ 7.53 грн
10000+ 6.94 грн
25000+ 6.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJW4N06A_R2_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJW4N06A.pdf PJW4N06A-R2 SMD N channel transistors
товар відсутній
PJW4N06A-R2-00001 PJW4N06A-R2-00001 Виробник : Panjit PJW4N06A-1876862.pdf MOSFET SOT-223/MOS/SOT/NFET-60TWMN
товар відсутній