на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMBF170,215 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMBF170,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 830, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції PMBF170,215 за ціною від 2.05 грн до 31.07 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PMBF170,215 | Виробник : NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMBF170,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 183000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMBF170,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMBF170,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMBF170,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
на замовлення 243000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMBF170,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 183000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMBF170,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 190mA; Idm: 1.2A; 0.83W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.19A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.25Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 12040 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMBF170,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 190mA; Idm: 1.2A; 0.83W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.19A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.25Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 12040 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMBF170,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMBF170,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMBF170,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMBF170,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 830 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 111079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMBF170,215 | Виробник : Nexperia | MOSFET PMBF170/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 78973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMBF170,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMBF170,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
на замовлення 244320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMBF170,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMBF170,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMBF170,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMBF170,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 830 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 euEccn: NLR Verlustleistung: 830 Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 111079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
PMBF170,215 | Виробник : NXP Semiconductors | SOT-23 |
на замовлення 7 шт: термін постачання 5 дні (днів) |