PMDT290UNE,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 7.01 грн |
| 8000+ | 6.6 грн |
| 12000+ | 5.84 грн |
| 28000+ | 5.41 грн |
| 100000+ | 4.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMDT290UNE,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMDT290UNE,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.29 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції PMDT290UNE,115 за ціною від 4.25 грн до 36.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMDT290UNE,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 31655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMDT290UNE,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 31655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMDT290UNE,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMDT290UNE,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 149745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMDT290UNE,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFET NRND for Automotive Applications PMDT290UNE/SOT666/SOT6 |
на замовлення 114019 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMDT290UNE,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMDT290UNE,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.29 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 15145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMDT290UNE,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A 6-Pin SOT-666 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
PMDT290UNE,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PMDT290UNE,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 3.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 3.2A Power dissipation: 0.5W Case: SOT666 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 610mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.68nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| PMDT290UNE,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 3.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 3.2A Power dissipation: 0.5W Case: SOT666 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 610mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.68nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |