PMDXB590UPEZ NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMDXB590UPEZ - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 570 mA
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 570mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.59ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 7.75 грн |
| 1000+ | 5.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMDXB590UPEZ NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMDXB590UPEZ - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 570 mA, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 570mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.59ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 280mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN1010B, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: TrenchMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції PMDXB590UPEZ за ціною від 4.25 грн до 28.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMDXB590UPEZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMDXB590UPEZ - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 570 mA tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 570mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.59ohm Verlustleistung, p-Kanal: 280mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN1010B Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: TrenchMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMDXB590UPEZ | Виробник : Nexperia |
MOSFET MOSFET PMDXB590UPE/SOT1216 |
на замовлення 9771 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|