PMEG150G20ELPX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: DIODE SIGE 150V 2A SOD128/CFP5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 14 ns
Technology: SiGe (Silicon Germanium)
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-128/CFP5
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 150 V
на замовлення 2921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 34.66 грн |
| 11+ | 25.73 грн |
| 100+ | 15.45 грн |
| 500+ | 13.42 грн |
| 1000+ | 9.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMEG150G20ELPX Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SIGE 150V 2A SOD128/CFP5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-128, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 14 ns, Technology: SiGe (Silicon Germanium), Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: SOD-128/CFP5, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 150 V.
Інші пропозиції PMEG150G20ELPX за ціною від 7.54 грн до 37.7 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMEG150G20ELPX | Виробник : Nexperia |
Rectifiers PMEG150G20ELP/SOD128/FlatPower |
на замовлення 2573 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMEG150G20ELPX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SIGE 150V 2A SOD128/CFP5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-128 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 14 ns Technology: SiGe (Silicon Germanium) Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-128/CFP5 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 150 V |
товар відсутній |