PMEG200G10ELRX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: PMEG200G10ELR/SOD123W/SOD2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Technology: SiGe (Silicon Germanium)
Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 200 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.61 грн |
| 6000+ | 6.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMEG200G10ELRX Nexperia USA Inc.
Description: PMEG200G10ELR/SOD123W/SOD2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123W, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 34 ns, Technology: SiGe (Silicon Germanium), Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: SOD-123W, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 200 V.
Інші пропозиції PMEG200G10ELRX за ціною від 5.31 грн до 26.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMEG200G10ELRX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 34ns; SOD123W; Ufmax: 0.805V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: silicon germanium diode (SiGe) Case: SOD123W Max. off-state voltage: 200V Max. forward voltage: 0.805V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 34ns Max. forward impulse current: 40A Leakage current: 30nA |
на замовлення 1540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMEG200G10ELRX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 34ns; SOD123W; Ufmax: 0.805V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: silicon germanium diode (SiGe) Case: SOD123W Max. off-state voltage: 200V Max. forward voltage: 0.805V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 34ns Max. forward impulse current: 40A Leakage current: 30nA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1540 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMEG200G10ELRX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PMEG200G10ELR/SOD123W/SOD2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Technology: SiGe (Silicon Germanium) Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 200 V |
на замовлення 9989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMEG200G10ELRX | Виробник : Nexperia |
Rectifiers PMEG200G10ELR/SOD123W/SOD2 |
на замовлення 2595 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|