PMEG2010BEV,115 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOT666
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOT-666
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 20 V
на замовлення 110630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5701+ | 3.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMEG2010BEV,115 NXP USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOT666, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: SOT-666, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 20 V.
Інші пропозиції PMEG2010BEV,115 за ціною від 3.9 грн до 31.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMEG2010BEV,115 | Виробник : Nexperia |
Schottky Diodes & Rectifiers NRND for Automotive Applications PMEG2010BEV/SOT666/SOT6 |
на замовлення 1585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PMEG2010BEV,115 | Виробник : NXP |
Description: NXP - PMEG2010BEV,115 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| PMEG2010BEV,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 20V; 1A; SOT666; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 20V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Capacitance: 80pF Max. forward voltage: 0.5V Case: SOT666 Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 10A кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
PMEG2010BEV,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOT666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOT-666 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 20 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PMEG2010BEV,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOT666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOT-666 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 20 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PMEG2010BEV,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 20V; 1A; SOT666; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 20V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Capacitance: 80pF Max. forward voltage: 0.5V Case: SOT666 Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 10A |
товар відсутній |