Продукція > NXP USA INC. > PMFPB8040XP,115
PMFPB8040XP,115

PMFPB8040XP,115 NXP USA Inc.

PHGLS25837-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: NXP USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.7A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 485mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 161589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1567+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 1567
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMFPB8040XP,115 NXP USA Inc.

Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6, Packaging: Bulk, Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.7A, 4.5V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 485mW (Ta), 6.25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PMFPB8040XP,115

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMFPB8040XP,115 PMFPB8040XP,115 Виробник : Nexperia PMFPB8040XP-268883.pdf MOSFET 20V, SOT1118 MOSFET-SCHOTTKY
на замовлення 3475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)