PMH550UPEH Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 800MA DFN0606-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0606-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54.8 pF @ 10 V
на замовлення 15596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 23.11 грн |
| 18+ | 15.93 грн |
| 100+ | 8.03 грн |
| 500+ | 6.15 грн |
| 1000+ | 4.56 грн |
| 2000+ | 3.84 грн |
| 5000+ | 3.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMH550UPEH Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 800MA DFN0606-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.23W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN0606-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54.8 pF @ 10 V.
Інші пропозиції PMH550UPEH за ціною від 3.07 грн до 25.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMH550UPEH | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMH550UPE/SOT8001/DFN0606-3 |
на замовлення 8326 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMH550UPEH | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.8A 3-Pin DFN T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PMH550UPEH | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.8A 3-Pin DFN T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PMH550UPEH | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.8A 3-Pin DFN T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
PMH550UPEH | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 800MA DFN0606-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN0606-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54.8 pF @ 10 V |
товар відсутній |