PMH600UNEH NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMH600UNEH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.47 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 370mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: DFN0606
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.47ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
на замовлення 2511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 18.03 грн |
| 105+ | 7.11 грн |
| 500+ | 4.93 грн |
| 1000+ | 3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMH600UNEH NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMH600UNEH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.47 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 370mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370mW, Bauform - Transistor: DFN0606, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.47ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm.
Інші пропозиції PMH600UNEH за ціною від 3 грн до 26.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMH600UNEH | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 800MA DFN0606-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta), 2.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN0606-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V |
на замовлення 6548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
PMH600UNEH | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMH600UNE/SOT8001/DFN0606-3 |
на замовлення 34611 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PMH600UNEH | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMH600UNEH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.47 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: DFN0606 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm |
на замовлення 2511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| PMH600UNEH | Виробник : NEXPERIA |
20 V, N-channel Trench MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
| PMH600UNEH | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 3.2A Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Technology: Trench Pulsed drain current: 3.2A Gate-source voltage: ±8V Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 20V Drain current: 500mA On-state resistance: 1Ω Gate charge: 310pC Case: DFN0606-3; SOT8001 Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
|
|
PMH600UNEH | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 800MA DFN0606-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta), 2.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN0606-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
| PMH600UNEH | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 3.2A Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Technology: Trench Pulsed drain current: 3.2A Gate-source voltage: ±8V Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 20V Drain current: 500mA On-state resistance: 1Ω Gate charge: 310pC Case: DFN0606-3; SOT8001 Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |