PMH850UPEH NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMH850UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.85 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
Description: NEXPERIA - PMH850UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.85 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 4715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 8.01 грн |
| 500+ | 5.81 грн |
| 1000+ | 3.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMH850UPEH NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMH850UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.85 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: DFN0606, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm.
Інші пропозиції PMH850UPEH за ціною від 3.85 грн до 30.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMH850UPEH | Виробник : Nexperia |
 MOSFET PMH850UPE/SOT8001/DFN0606-3 |
на замовлення 8652 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMH850UPEH | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMH850UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.85 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: DFN0606 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm |
на замовлення 4615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PMH850UPEH | Виробник : Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 600MA DFN0606-3 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| PMH850UPEH | Виробник : Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 600MA DFN0606-3 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |