PMN230ENEAX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta), 5.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.51 грн |
| 6000+ | 5.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMN230ENEAX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 1.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 625mW (Ta), 5.4W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PMN230ENEAX за ціною від 4.12 грн до 33.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMN230ENEAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta), 5.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMN230ENEAX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMN230ENEA/SOT457/SC-74 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMN230ENEAX | Виробник : NEXPERIA |
60 V, N-channel Trench MOSFET |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
PMN230ENEAX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 1.1A; Idm: 7.1A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: Trench Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 7.1A Gate charge: 3.8nC Case: SC74; SOT457; TSOP6 Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.1A On-state resistance: 482mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PMN230ENEAX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 1.1A; Idm: 7.1A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: Trench Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 7.1A Gate charge: 3.8nC Case: SC74; SOT457; TSOP6 Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.1A On-state resistance: 482mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
товар відсутній |