PMN25ENEAX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 6.4A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMN25ENEAX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 6.4A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PMN25ENEAX за ціною від 7.93 грн до 30.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMN25ENEAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.4A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.4A, 10V Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PMN25ENEAX | Виробник : NEXPERIA |
30 V, N-channel Trench MOSFET |
товар відсутній |
|||||||||||||
| PMN25ENEAX | Виробник : NEXPERIA |
PMN25ENEAX SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||
 |
PMN25ENEAX | Виробник : Nexperia |
MOSFET 30V N-CHANNEL |
товар відсутній |