PMN30ENEAX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 5.4A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.76 грн |
| 6000+ | 7.16 грн |
| 9000+ | 6.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMN30ENEAX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMN30ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5.4 A, 0.023 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 667mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 667mW, Bauform - Transistor: TSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm.
Інші пропозиції PMN30ENEAX за ціною від 6.11 грн до 34.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMN30ENEAX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMN30ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5.4 A, 0.023 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 667mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 667mW Bauform - Transistor: TSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm |
на замовлення 665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMN30ENEAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 5.4A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 20845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMN30ENEAX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMN30ENEA/SOT457/SC-74 |
на замовлення 11723 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMN30ENEAX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMN30ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5.4 A, 0.023 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 667mW Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm |
на замовлення 665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMN30ENEAX | Виробник : NEXPERIA |
40 V N-channel Trench MOSFET |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
PMN30ENEAX | Виробник : Nexperia |
40 V N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PMN30ENEAX | Виробник : Nexperia |
40 V N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
PMN30ENEAX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 3.8A; Idm: 22A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 3.8A Pulsed drain current: 22A Case: SC74; SOT457; TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 57mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PMN30ENEAX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 3.8A; Idm: 22A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 3.8A Pulsed drain current: 22A Case: SC74; SOT457; TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 57mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |