PMN30XPEAX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.4 A, 0.026 ohm, SC-74, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 13.93 грн |
| 500+ | 11.13 грн |
| 1000+ | 8.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMN30XPEAX NEXPERIA
Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 8V, Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PMN30XPEAX за ціною від 7.54 грн до 42.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMN30XPEAX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMN30XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.4 A, 0.026 ohm, SC-74, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: SC-74 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm |
на замовлення 2555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PMN30XPEAX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMN30XPEA/SOT457/SC-74 |
на замовлення 15894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PMN30XPEAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 8V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
PMN30XPEAX | Виробник : NEXPERIA |
Pmn30Xpea 20 V, P Channel Trench Mosfet End us |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
PMN30XPEAX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.4A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |