PMN40SNAX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 4.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.69 грн |
| 6000+ | 8.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMN40SNAX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 4.7A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PMN40SNAX за ціною від 8.04 грн до 34.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMN40SNAX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMN40SNAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.029 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 650W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm |
на замовлення 3084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMN40SNAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 4.7A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 10269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMN40SNAX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMN40SNA/SOT457/SC-74 |
на замовлення 166704 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMN40SNAX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMN40SNAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.029 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 650W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm |
на замовлення 3084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMN40SNAX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 3A; Idm: 19A Mounting: SMD Case: SC74; SOT457; TSOP6 Kind of package: reel; tape Technology: Trench Drain current: 3A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 76mΩ Pulsed drain current: 19A Gate charge: 14nC Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PMN40SNAX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 3A; Idm: 19A Mounting: SMD Case: SC74; SOT457; TSOP6 Kind of package: reel; tape Technology: Trench Drain current: 3A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 76mΩ Pulsed drain current: 19A Gate charge: 14nC Polarisation: unipolar |
товар відсутній |