PMN50EPEX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN50EPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.035 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 21.91 грн |
| 500+ | 12.87 грн |
| 1500+ | 11.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMN50EPEX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMN50EPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.035 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 560mW, Bauform - Transistor: SOT-457, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PMN50EPEX за ціною від 11.62 грн до 35.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMN50EPEX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMN50EPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.035 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 560mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm |
на замовлення 1559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PMN50EPEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PMN50EPEX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMN50EPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.035 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 560mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm |
на замовлення 1032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| PMN50EPEX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMN50EPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.035 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 560mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
PMN50EPEX | Виробник : NEXPERIA |
30 V, P-channel Trench MOSFET |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
PMN50EPEX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -19A Mounting: SMD Case: SC74; SOT457; TSOP6 Kind of package: reel; tape Gate charge: 20nC Technology: Trench Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -19A Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.9A On-state resistance: 67mΩ Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
PMN50EPEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
PMN50EPEX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMN50EPE/SOT457/SC-74 |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
PMN50EPEX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -19A Mounting: SMD Case: SC74; SOT457; TSOP6 Kind of package: reel; tape Gate charge: 20nC Technology: Trench Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -19A Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.9A On-state resistance: 67mΩ Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar |
товар відсутній |