на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMN52XPX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMN52XPX - Leistungs-MOSFET, Graben, p-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.05 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 530mW, Bauform - Transistor: SOT-457, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm.
Інші пропозиції PMN52XPX за ціною від 4.98 грн до 28.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMN52XPX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 10 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMN52XPX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMN52XPX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMN52XPX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMN52XPX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMN52XPX - Leistungs-MOSFET, Graben, p-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.05 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 530mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm |
на замовлення 1525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMN52XPX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 10 V |
на замовлення 7552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMN52XPX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMN52XP/SOT457/SC-74 |
на замовлення 14284 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMN52XPX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMN52XPX - Leistungs-MOSFET, Graben, p-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.05 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 530mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm |
на замовлення 1525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMN52XPX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.3A; Idm: -15A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.3A Pulsed drain current: -15A Case: SC74; SOT457; TSOP6 On-state resistance: 91mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PMN52XPX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.3A; Idm: -15A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.3A Pulsed drain current: -15A Case: SC74; SOT457; TSOP6 On-state resistance: 91mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |