PMN55ENEAX

PMN55ENEAX Nexperia USA Inc.


PMN55ENEA.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 3.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMN55ENEAX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 3.6A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PMN55ENEAX за ціною від 5.78 грн до 29.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMN55ENEAX PMN55ENEAX Виробник : Nexperia USA Inc. PMN55ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.3 грн
14+ 20.34 грн
100+ 12.2 грн
500+ 10.6 грн
1000+ 7.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMN55ENEAX PMN55ENEAX Виробник : Nexperia PMN55ENEA-2938815.pdf MOSFET PMN55ENEA/SOT457/SC-74
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.53 грн
14+ 22.61 грн
100+ 10.96 грн
1000+ 7.51 грн
3000+ 6.38 грн
9000+ 5.85 грн
24000+ 5.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMN55ENEAX PMN55ENEAX Виробник : Nexperia pmn55enea.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.6A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
PMN55ENEAX PMN55ENEAX Виробник : Nexperia pmn55enea.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.6A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
PMN55ENEAX PMN55ENEAX Виробник : NEXPERIA pmn55enea.pdf 60 V, N-channel Trench MOSFET
товар відсутній
PMN55ENEAX PMN55ENEAX Виробник : NEXPERIA PMN55ENEA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 2.5A; Idm: 14A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 14A
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
PMN55ENEAX PMN55ENEAX Виробник : NEXPERIA PMN55ENEA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 2.5A; Idm: 14A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 14A
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній