Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMN70XPEAX
PMN70XPEAX

PMN70XPEAX Nexperia USA Inc.

PMN70XPE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 10 V
на замовлення 86500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1065+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 1065
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMN70XPEAX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 6.25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PMN70XPEAX

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMN70XPEAX PMN70XPEAX Виробник : NEXPERIA 3892413348512355pmn70xpea.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
PMN70XPEAX PMN70XPEAX Виробник : Nexperia USA Inc. PMN70XPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 10 V
товар відсутній
PMN70XPEAX PMN70XPEAX Виробник : Nexperia PMN70XPE-1151865.pdf MOSFET 20V single P-channel Trench MOSFET
товар відсутній